Revision 13 2-27 Table 2-30 I/O Output Buffer Maximum Resistances1
參數資料
型號： A3P1000-FG256I
廠商： Microsemi SoC
文件頁數： 157/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 1M 256-FBGA
標準包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計： 147456
輸入/輸出數： 177
門數： 1000000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 256-LBGA
供應商設備封裝： 256-FPBGA（17x17）
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ProASIC3 Flash Family FPGAs
Revision 13
2-27
Table 2-30 I/O Output Buffer Maximum Resistances1
Applicable to Standard I/O Banks
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN
(
)2
RPULL-UP
(
)3
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
100
300
4 mA
100
300
6 mA
50
150
8 mA
50
150
3.3 V LVCMOS Wide Range4
100 A
Same as regular
3.3 V LVCMOS
Same as regular
3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
2 mA
100
200
4 mA
100
200
6 mA
50
100
8 mA
50
100
1.8 V LVCMOS
2 mA
200
225
4 mA
100
112
1.5 V LVCMOS
2 mA
200
224
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance
values depend on VCCI, drive strength selection, temperature, and process. For board design
considerations and detailed output buffer resistances, use the corresponding IBIS models located at
2. R(PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
4. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD-8B
specification.
Table 2-31 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1
(
)
R(WEAK PULL-DOWN)2
(
)
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 k
45 k
10 k
45 k
3.3 V (wide range I/Os)
10 k
45 k
10 k
45 k
2.5 V
11 k
55 k
12 k
74 k
1.8 V
18 k
70 k
17 k
110 k
1.5 V
19 k
90 k
19 k
140 k
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCIMAX – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULL-DOWN-MIN)
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