AOTF14N50

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功能描述
MOSFET N-CH 500V 14A TO220F
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOTF14N50 技術(shù)參數(shù)

AOTF13N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:510 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1633pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF12T60PL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2028pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF12T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2028pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOTF12T60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1954pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF12T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1954pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOTF18N65L AOTF190A60L AOTF20B65M1 AOTF20B65M2 AOTF20C60 AOTF20C60P AOTF20C60P_001 AOTF20C60PL AOTF20N40L AOTF20N60 AOTF20S60L AOTF2142L AOTF2210L AOTF22N50 AOTF22N50L AOTF240L AOTF256L AOTF25S65