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AOTF20C60P_001

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AOTF20C60P_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 停產
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 20A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 80nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±30V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 3607pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 50W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 250 毫歐 @ 10A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • TO-220F
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 標準包裝
  • 1,000
AOTF20C60P_001 技術參數(shù)
  • AOTF20C60P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3607pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:50 AOTF20C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF20B65M2 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.15V @ 15V,20A 功率 - 最大值:45W 開關能量:580μJ(開),280μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:46nC 25°C 時 Td(開/關)值:26ns/123ns 測試條件:400V,20A,15 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):292ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF20B65M1 功能描述:IGBT 650V 20A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.15V @ 15V,20A 功率 - 最大值:45W 開關能量:470μJ(開),270μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:46nC 25°C 時 Td(開/關)值:26ns/122ns 測試條件:400V,20A,15 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):322ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF190A60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1,000 AOTF256L AOTF25S65 AOTF2606L AOTF260L AOTF2610L AOTF2618L AOTF262L AOTF266L AOTF27S60L AOTF286L AOTF288L AOTF290L AOTF2910L AOTF2916L AOTF2918L AOTF292L AOTF296L AOTF298L
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