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AOTF2N60L

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AOTF2N60L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 2A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 4.4 歐姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 11.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 325pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 31W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商器件封裝
  • TO-220-3F
  • 標準包裝
  • 1
AOTF2N60L 技術參數
  • AOTF2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:31W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF29S50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):29A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1312pF @ 100V 功率 - 最大值:37.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 10A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),41A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6775pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):47W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標準包裝:50 AOTF450L AOTF454L AOTF472 AOTF474 AOTF4N60 AOTF4N60L AOTF4N90 AOTF4S60 AOTF4T60P AOTF5B60D AOTF5B65M1 AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65
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