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AOTF5N50FD

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  • AOTF5N50FD
    AOTF5N50FD

    AOTF5N50FD

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 100000

  • YXYBDT臺灣

  • TO-220F

  • 2024+

  • -

  • 代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • AOTF5N50FD
    AOTF5N50FD

    AOTF5N50FD

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-220F

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • AOTF5N50FD
    AOTF5N50FD

    AOTF5N50FD

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AOS

  • TO-220F

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共34條 
  • 1
AOTF5N50FD PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
AOTF5N50FD 技術參數
  • AOTF5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:25W 開關能量:80μJ（開），70μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:14nC 25°C 時 Td（開/關）值:8.5ns/106ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:195ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOTF5B60D 功能描述:IGBT 600V 14A 31.2W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:31.2W 開關能量:140μJ（開），40μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:9.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/83ns 測試條件:400V，5A，60 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:98ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF4T60P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:522pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:50 AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001 AOU2N60A AOU3N50 AOU3N60
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