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AOU3N60_001

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AOU3N60_001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 過期
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 2.5A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.5 歐姆 @ 1.25A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 12nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 370pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
  • 56.8W
  • 工作溫度
  • -50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
  • 供應商器件封裝
  • TO-251-3
  • 標準包裝
  • 1
AOU3N60_001 技術參數(shù)
  • AOU3N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):370pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU3N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):331pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU2N60A 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):295pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:80 AOU2N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:1 AOU2N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOW10T60 AOW10T60P AOW11N60 AOW11S60 AOW11S65 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290
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