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    AOV11S60

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    • AOV11S60
      AOV11S60

      AOV11S60

    • 深圳市華芯盛世科技有限公司
      深圳市華芯盛世科技有限公司

      聯(lián)系人：唐先生

      電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

      地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

    • 8650000

    • AOS

    • DFN8x8

    • 最新批號

    • -

    • 代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

    • AOV11S60
      AOV11S60

      AOV11S60

    • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
      深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

      聯(lián)系人：雷春艷

      電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

      地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

      資質：營業(yè)執(zhí)照

    • 10530

    • ALPHA & O

    • 1521+

    • -

    • 全新原裝現(xiàn)貨

    • 1/1頁 40條/頁 共17條 
    • 1
    AOV11S60 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
    • 功能描述
    • MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
    • 制造商
    • alpha & omega semiconductor inc.
    • 系列
    • aMOS??
    • 包裝
    • 剪切帶（CT）
    • 零件狀態(tài)
    • 停產
    • FET 類型
    • MOSFET N 通道，金屬氧化物
    • FET 功能
    • 標準
    • 漏源極電壓（Vdss）
    • 600V
    • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
    • 650mA（Ta），8A（Tc）
    • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
    • 500 毫歐 @ 3.8A，10V
    • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
    • 4.1V @ 250μA
    • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
    • 11nC @ 10V
    • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
    • 545pF @ 100V
    • 功率 - 最大值
    • 8.3W
    • 工作溫度
    • -55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類型
    • 表面貼裝
    • 封裝/外殼
    • 4-VSFN 裸露焊盤
    • 供應商器件封裝
    • 4-DFN-EP（8x8）
    • 標準包裝
    • 1
    AOV11S60 技術參數(shù)
    • AOU7S65 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:89W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:80 AOU4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:640pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:4,000 AOU3N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:56.8W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:1 AOW12N50 AOW12N60 AOW12N65 AOW14N50 AOW15S60 AOW15S65 AOW20C60 AOW20S60 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290 AOW2918 AOW292 AOW296 AOW298 AOW29S50
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