AOTF12T60L

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AOTF12T60L
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220F
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

AOTF12T60L
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
TO220F
NA
-
原裝現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
50nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1954pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
520 毫歐 @ 6A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220F
封裝/外殼
TO-220-3 整包
標準包裝
1,000

AOTF12T60L 技術(shù)參數(shù)

AOTF12T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1954pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 封裝/外殼:TO-220-3 整包標準包裝:1,000 AOTF12T50PL 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1477pF @ 100V 功率 - 最大值:33W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF12T50P 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1477pF @ 100V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF12N65A 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期標準包裝:1 AOTF12N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOTF15S60L AOTF15S65L AOTF16N50 AOTF18N65 AOTF18N65L AOTF190A60L AOTF20B65M1 AOTF20B65M2 AOTF20C60 AOTF20C60P AOTF20C60P_001 AOTF20C60PL AOTF20N40L AOTF20N60 AOTF20S60L AOTF2142L AOTF2210L AOTF22N50