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AUIRF7484QTR

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  • AUIRF7484QTRPBF
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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

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  • AUIRF7484QTR
    AUIRF7484QTR

    AUIRF7484QTR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AUIRF7484QTR
    AUIRF7484QTR

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 638850

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  • AUIRF7484QTRPBF
    AUIRF7484QTRPBF

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

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  • TY/臺(tái)灣半導(dǎo)體

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  • 2021+

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  • AUIRF7484QTR
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  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號(hào)知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場(chǎng)B1303-b1305柜臺(tái)

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE MOSFET N CH 40V, 14A, 10MOHM - Tape and Reel
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 40V 14A SO-8
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Automotive MOSFET N 40V, 14A, 10mOhm
AUIRF7484QTR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7484Q 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，7V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 AUIRF7478QTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 4.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7478Q 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:26 毫歐 @ 4.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1740pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 AUIRF7416QTR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 5.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.04V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7379QTR 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.8A，4.3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 5.8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 AUIRF7737L2TR AUIRF7738L2TR AUIRF7739L2TR AUIRF7749L2TR AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410
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