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AUIRF7675M2TR

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會(huì)軒3607

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • DIRECTFET? M2

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進(jìn)口原裝正品!

  • AUIRF7675M2TR
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 328519

  • INFINEON

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  • AUIRF7675M2TR
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室

  • 328519

  • INFINEON

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  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • AUIRF7675M2TR
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 328519

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢(shì)庫存,原裝正品

  • AUIRF7675M2TR
    AUIRF7675M2TR

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 328519

  • INFINEON

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  • 優(yōu)勢(shì)庫存,原裝正品

  • AUIRF7675M2TR
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • AUIRF7675M2TR
    AUIRF7675M2TR

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 英飛凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF7675M2TR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF7669L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Ta),114A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 68A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5660pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET L8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRF7665S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.1A(Ta),14.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 8.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SB 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Ta),68A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 41A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.9A(Ta),24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):910pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SC 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? SC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,800 AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.8A(Ta),21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):36 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 SB 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET SB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N
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