AUIRFN7110TR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRFN7110TR
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4750
isc,iscsemi
DFN5×6
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

AUIRFN7110TR
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
8-PQFN（5x6）
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

AUIRFN7110TR
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

AUIRFN7110TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
制造商
infineon technologies
系列
汽車級，AEC-Q101，HEXFET?
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
58A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
14.5 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
74nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3050pF @ 25V
功率 - 最大值
4.3W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
8-PQFN（5x6）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
4,000

AUIRFN7110TR 技術(shù)參數(shù)

AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta），75A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:77nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.4W（Ta），125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 45A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PQFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRFL024NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 2.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AUIRFL024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 2.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 AUIRFL014NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 AUIRFL014N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:80 AUIRFP2907Z AUIRFP4004 AUIRFP4110 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL