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AUIRF9952QTR

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  • 封裝
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  • AUIRF9952QTR
    AUIRF9952QTR

    AUIRF9952QTR

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人:張育豪 13360528695

    電話:0755-23607487

    地址:深圳市福田區(qū)華富路1006號 航都大廈11樓一層

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 8000

  • IR

  • SOP-8

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現貨

  • AUIRF9952QTRPBF
    AUIRF9952QTRPBF

    AUIRF9952QTRPBF

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • 有30000個IR

  • SOP-8

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • AUIRF9952QTR
    AUIRF9952QTR

    AUIRF9952QTR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 100mOhms
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF9952QTR 技術參數
  • AUIRF9952Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A,2.3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 2.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):190pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:95 AUIRF9540N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1,000 AUIRF8739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 545A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):57A(Ta),545A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.6 毫歐 @ 195A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17890pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 L8 供應商器件封裝:DIRECTFET L8 標準包裝:4,000 AUIRF8736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 137A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):27A(Ta),137A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 85A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):204nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6867pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DirectFET? 等距 M4 供應商器件封裝:DIRECTFET? M4 標準包裝:4,800 AUIRF7805QTR 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:4,000 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z AUIRFP4004 AUIRFP4110
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