參數(shù)資料
型號: 70V05S55J8
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC68
封裝: 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
文件頁數(shù): 22/22頁
文件大?。?/td> 159K
代理商: 70V05S55J8
6.42
IDT70V05S/L
High-Speed 3.3V 8K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
9
Waveform of Read Cycles(5)
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE or OE.
3. tBDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY has no
relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last tAOE, tACE, tAA or tBDD.
5. SEM = VIH.
tRC
R/
W
CE
ADDR
tAA
OE
2941 drw 07
(4)
tACE
(4)
tAOE
(4)
(1)
tLZ
tOH
(2)
tHZ
(3,4)
tBDD
DATAOUT
BUSYOUT
VALID DATA
(4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
70V05S55PF 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
70V05S55PF8 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8K x 8 3.3v Dual- Port Ram RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
70V05S55PFI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 3.3V 64KBIT 8KX8 55NS 64TQFP - Bulk
70V06L15J 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Kx8, 128K, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
70V06L15J8 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Kx8, 128K, 3.3V DUAL-PORT RAM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray