參數(shù)資料
型號： 6MBI75U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： 6MBI75U4A-120
H04-004-03a
MS5F6027
13
9
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=15V / chip
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=25
o
C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj=125
o
C / chip
Dynamic Gate charge (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, Tj=25
o
C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
VGE=0V, f=1MHz, Tj=25
o
C
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
8V
10V
12V
15V
VGE=20V
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
C
Tj=125
o
C
Tj=25
o
C
0
2
4
6
8
10
5
10
Gate-Emitter voltage : VGE [ V ]
15
20
25
Ic=37.5A
Ic=75A
Ic=150A
C
0.1
1.0
10.0
100.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
Cies
C
Coes
Cres
0
100
200
300
400
Gate charge : Qg [ nC ]
C
G
VGE
VCE
0
相關PDF資料
PDF描述
6MBI8F-120 IGBT(1200V 8A)
6MBI8L-120 IGBT(1200V 8A)
6MBP100NA060-01 IGBT-IPM
6MBP150RTB060 Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: EFP
6MBP200RA060 IGBT-IPM(600V/200A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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