參數(shù)資料
型號： 6MBI75U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大小： 469K
代理商： 6MBI75U4A-120
H04-004-03a
MS5F6027
13
11
Transient thermal resistance (max.)
Temperature characteristic (typ.)
Forward current vs. Forward on voltage (typ.)
chip
Reverse recovery characteristics (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
[ Thermistor ]
0
25
50
75
100
125
0
1
Forward on voltage : VF [ V ]
2
3
4
F
Tj=25
o
C
Tj=125
o
C
10
100
1000
0
20
40
60
80
100
Forward current : IF [ A ]
R
R
trr(125
o
C)
trr(25
o
C)
Irr(125
o
C)
Irr(25
o
C)
0.01
0.10
1.00
0.001
0.010
Pulse width : Pw [ sec ]
0.100
1.000
IGBT
FWD
T
o
C
0.1
1.0
10.0
100.0
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
Temperature [
C ]
R
Ω
]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI8F-120 IGBT(1200V 8A)
6MBI8L-120 IGBT(1200V 8A)
6MBP100NA060-01 IGBT-IPM
6MBP150RTB060 Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: EFP
6MBP200RA060 IGBT-IPM(600V/200A)
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