參數(shù)資料
型號： 6MBI75U4A-120
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT MODULE
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-28
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： 6MBI75U4A-120
H04-004-03a
MS5F6027
13
10
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 9.1
Ω
,
Tj <= 125
o
C
Tj=25
o
C
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=75A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=9.1
Ω
, Tj=125
o
C
10
100
1000
10000
0
50
100
150
Collector current : Ic [ A ]
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
50
100
150
Collector current : Ic [ A ]
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
2
4
6
8
10
12
14
0
25
50
Collector current : Ic [ A ]
75
100
125
150
Eoff(125
o
C)
S
Eon(125
o
C)
Eoff(25
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(125
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
1
10
100
1000
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
50
100
150
200
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
6MBI8F-120 IGBT(1200V 8A)
6MBI8L-120 IGBT(1200V 8A)
6MBP100NA060-01 IGBT-IPM
6MBP150RTB060 Variable Capacitance Diode for Digital audio; Ratings VR (V): 15; Characteristics n: 3.25 to 3.70; Characteristics rs (ohm) max: 0.75; Characteristics C (pF) max: C0.5 = 7.20 to 7.80 C2.5 = 2.05 to 2.35; Characteristics CVR/CVR: 0.5/2.5; Cl: -; Package: EFP
6MBP200RA060 IGBT-IPM(600V/200A)
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6MBI75UB-120 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:IGBT Module
6MBI75UC-120 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:6 PACK IGBT
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