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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK317 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵MOS場效應(yīng)超高頻/甚高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 3SK317 |
3SK317
4
30
24
18
12
6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
1 V
V = 0.5 V
Gate1 to source voltage V (V)
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
|
f
F
0
50
40
30
20
10
4
8
12
16
20
Drain current I (mA)
P
Power Gain vs. Drain Current
5
4
3
2
1
0
4
8
12
16
20
Drain current I (mA)
N
Noise Figure vs. Drain Current
50
40
30
10
20
0
2
4
6
8
10
Drain to source voltage V (V)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
P
1.5 V
3 V
2 V
VDS
f = 1kHz
2.5 V
V = 6 V
V = 3V
f = 200MHz
V = 6 V
V = 3V
f = 200MHz
V = 3V
I = 10mA
f = 200MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK318 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK319 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK317ZR(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 3SK317ZR-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK318YB(TL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 3SK318YB-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
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