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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK317 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵MOS場效應(yīng)超高頻/甚高頻射頻放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 3SK317 |
3SK317
3
200
150
100
50
0
50
100
150
200
C
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Drain to source voltage V (V)
D
D
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
Gate1 to source voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
20
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
Gate2 to source voltage V (V)
D
D
20
16
12
8
4
0
2
10
4
6
8
0.8 V
1.0 V
1.2 V
Drain Current vs. Gate1 to Source Voltage
Drain Current vs. Gate2 to Source Voltage
V = 0.5 V
2.0 V
1.5 V
3.0 V
2.5 V
1.0 V
V = 0.5 V
1.0 V
1.5 V
2.0 V
2.5 V
3.0 V
0.6 V
V = 0.4 V
G2S
Pulse test
DS
Pulse test
V = 6 V
Pulse test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK318 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK319 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK320 | N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMP, MIX) |
| 3SK321 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3SK317ZR(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 3SK317ZR-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF / VHF RF Amplifier |
| 3SK318 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
| 3SK318YB(TL) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 3SK318YB-TL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier |
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