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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK134B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon Dual-Gate MOSFET(應(yīng)用于RF放大器的N溝道雙門MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道硅雙柵MOSFET（應(yīng)用于射頻放大器的? MOSFET的溝道雙門） |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | 3SK134B |
3SK134B
4
OUTPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
C
o
V
G2S
– Gate2 to Source Voltage – V
–1.0
1.0
2.0
3.0
0
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
G
p
N
V
G2S
– Gate2 to Source Voltage – V
–2.0
8.0
0
2.0
4.0
6.0
20
10
0
–10
–20
5
0
10
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I
= 10 mA
(at V
DS
= 10 V
V
= 4 V)
f = 1 MHz
I
= 10 mA
(at V
DS
= 10 V
V
= 4 V)
f = 900 MHz
G
ps
NF
4.0
900 MHz G
ps
AND NF TEST CIRCUIT
V
G2S
(3 V)
1 000 pF
47 k
1 000 pF
to 10 pF
to 10 pF
INPUT
50
L
1
47 k
RFC
L
2
to 10 pF
OUTPUT
50
1 000 pF
1 000 pF
V
G1S
V
DD
(6 V)
L
1
, L
2
; 35
×
5
×
0.2 mm
to 10 pF
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