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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK134B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon Dual-Gate MOSFET(應用于RF放大器的N溝道雙門MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道硅雙柵MOSFET（應用于射頻放大器的? MOSFET的溝道雙門） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 3SK134B |
3SK134B
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Drain to Source Breakdown Voltage
BV
DSX
18
V
V
G1S
= V
G2S
= –2 V, I
D
= 10
μ
A
Drain Current
I
DSX
0.4
8.0
mA
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 4 V, V
G1S
= 0.5 V
Gate1 to Source Cutoff Voltage
V
G1S(off)
–2.0
V
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 4 V, I
D
= 10
μ
A
Gate2 to Source Cutoff Voltage
V
G2SS(off)
–0.7
V
V
DS
= 10 V, V
G1S
= 4 V, I
D
= 10
μ
A
Gate1 Reverse Current
I
G1SS
±
20
nA
V
DS
= V
G2S
= 0, V
G1S
=
±
8 V
Gate2 Reverse Current
I
G2SS
±
20
nA
V
DS
= V
G1S
= 0, V
G2S
=
±
8 V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
25.0
29.0
35.0
mS
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 4 V, I
D
= 10 mA
f = 1 kHz
Input Capacitance
C
iss
1.5
2.5
3.5
pF
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 4 V, I
D
= 10 mA
f = 1 MHz
Output Capacitance
C
oss
0.6
1.1
1.6
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
0.02
0.03
pF
Power Gain
G
ps
20.0
23.0
dB
V
DS
= 10 V, V
G2S
= 4 V, I
D
= 10 mA
f = 900 MHz
Noise Figure
NF
2.4
3.5
dB
I
DSX
Classification
Rank
U55/UEE
U56/UEF
Marking
U55
U56
I
DSX
(mA)
0.4 to 5.0
3.0 to 8.0
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