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參數(shù)資料
| 型號： | 3SK134B |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon Dual-Gate MOSFET(應用于RF放大器的N溝道雙門MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道硅雙柵MOSFET（應用于射頻放大器的? MOSFET的溝道雙門） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 3SK134B |
3SK134B
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
T
A
– Ambient Temperature – °C
|
f
|
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
– Drain Current – mA
INPUT CAPACITANCE vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
V
G2S
– Gate2 to Source Voltage – V
C
i
P
D
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
GATE1 TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
– Drain to Source Voltage – V
I
D
–
0
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
5
10
15
20
20
25
15
10
5
1.0
2.0
–1.0
0
2.0
4.0
5.0
0
25
50
100
125
75
DRAIN CURRENT vs
GATE1 TO SOURCE VOLTAGE
V
G1S
– Gate1 to Source Voltage – V
I
D
0
1.0
2.0
20
10
V
G1S
– Gate1 to Source Voltage – V
0
30
40
20
10
1.0
3.0
0
4.0
5.0
2.0
1.0
3.0
|
f
|
0
40
20
10
30
4
12
20
8
16
100
200
I
= 10 mA
(at V
DS
= 10 V
V
= 4 V)
f = 1 MHz
V
G2S
= 4 V
1.1 V
1.0 V
0.9 V
0.8 V
V
G1S
= 1.2 V
V
= 10 V
f = 1 kHz
1 V
2 V
3 V4 V
V
G2S
= 5 V
4 V
3 V
2 V
1 V
V
DS
= 10 V
V
G2S
= 5 V
V
= 10 V
f = 1 kHz
V
G2S
= 4 V
300
400
Free air
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PDF描述 |
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