參數(shù)資料
型號： 2SK4090(1)-S27-AY
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, MP-3B, TO-251, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： 2SK4090(1)-S27-AY
Data Sheet D18634EJ1V0DS
2
2SK4090
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 30 V, VGS = 0 V
10
μA
Gate Leakage Current
IGSS
VGS =
±20 V, VDS = 0 V
±100
nA
Gate to Source Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = VGS, ID = 250
μA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 30 A
13
19
S
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 30 A
5.1
6.0
m
Ω
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)2
VGS = 4.5 V, ID = 30 A
7.4
11
m
Ω
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V,
2320
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V,
380
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
185
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 15 V, ID = 30 A,
15
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V,
14
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 3
Ω
49
ns
Fall Time
tf
7
ns
QG1
VDD = 15 V, VGS = 10 V, ID = 30 A
36
nC
Total Gate Charge
QG2
VDD = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 30 A
17
nC
Gate to Source Charge
QGS
7
nC
Gate to Drain Charge
QGD
VDD = 15 V, ID = 30 A
6
nC
Gate Resistance
RG
2.6
Ω
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 30 A, VGS = 0 V
0.86
1.5
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 30 A, VGS = 0 V,
30
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
μs
26
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
RG = 25
Ω
50
Ω
PG.
L
VDD
VGS = 20
→ 0 V
BVDSS
IAS
ID
VDS
Starting Tch
VDD
D.U.T.
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
μ
Duty Cycle
≤ 1%
τ
PG.
50
Ω
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK4090-ZK-E1-AY 64 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4143-S17-AY 20 A, 60 V, 0.078 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK4203LS 18 A, 45 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK707 25 A, 250 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK801-Z 2 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK4090-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SK4092 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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