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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK4081-S27-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | 2SK4081-S27-AY |
Data Sheet D18785EJ2V0DS
7
2SK4081
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3-a)
2) TO-251 (MP-3-b)
6.6
±
0.2
5.3 TYP.
4.3 MIN.
Mold Area
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.1
0.5
±
0.1
No Plating
0
6
±
0
1
±
0
9
4
.
1
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
6.6±0.2
2.3±0.1
0.5±0.1
0.76±0.12
0.5±0.1
5.3 TYP.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1
1.14 MAX.
1
1
4
6
1
2
1
3
4
3) TO-252 (MP-3ZK)
EQUIVALENT CIRCUIT
6.5
±
0.2
5.1 TYP.
4.3 MIN.
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.12
0 to 0.25
0.5
±
0.1
1.0
No Plating
No Plating
1
6
±
0
0
4
.
0
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Body
Diode
Source
Drain
Gate
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade
the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible, and quickly
dissipate it once, when it has occurred.
<R>
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4081-ZK-E1-AY | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4081-ZK-E2-AY | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4082 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4082-S17-AY | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4092 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK4081-ZK-E1-AY | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4081-ZK-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4082 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4082-S17-AY | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4084LS | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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