- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄50005 > 2SK4069(1)-S27-AY 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK4069(1)-S27-AY |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | 2SK4069(1)-S27-AY |
Data Sheet D18032EJ3V0DS
7
2SK4069
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3-b)
2) TO-252 (MP-3ZK)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
6.6±0.2
2.3±0.1
0.5±0.1
0.76±0.12
0.5±0.1
5.3 TYP.
2.3 TYP.
1.14 MAX.
1.06
TYP.
11.25
TYP.
4.13
TYP.
1.04
TYP.
6.1±0.2
1.1±0.13
2
13
4
6.5
±0.2
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.12
0 to 0.25
0.5
±0.1
1.0
No Plating
5.1 TYP.
1.0
TYP.
6.1
±
0.2
0.51
MIN.
4.0
MIN
.
0.8
10.4
MAX.
(9.8
TYP.)
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
<R>
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4071-AZ | 1000 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2SK4073LS | 90 A, 60 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4075-ZK-E1-AY | 60000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4075-ZK-E2-AY | 60000 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK4069-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK4069-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK4070 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070(1)-S27-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SK4070-S15-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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