參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3992-ZK
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 160K
代理商： 2SK3992-ZK
Data Sheet D17321EJ1V0DS
7
2SK3992
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3)
2) TO-252 (MP-3ZK)
6.6
±
0.2
5.3 TYP.
4.3 MIN.
Mold Area
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.1
0.5
±
0.1
No Plating
0
6
±
0
1
±
0
9
4
.
1
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
6.5
±
0.2
5.1 TYP.
4.3 MIN.
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.76
±
0.12
0 to 0.25
0.5
±
0.1
1.0
No Plating
No Plating
1
6
±
0
0
4
.
0
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark
Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK3992-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3993-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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