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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3992-ZK |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | 2SK3992-ZK |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3992
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DATA SHEET
Document No. D17321EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published February 2005 NS CP(K)
Printed in Japan
2004
ORDERING INFORMATION
PART NUMBER
PACKAGE
2SK3992
TO-251 (MP-3)
2SK3992-ZK
TO-252 (MP-3ZK)
DESCRIPTION
The 2SK3992 is N-channel MOS FET device that
features a low on-state resistance and excellent switching
characteristics, and designed for low voltage high current
applications such as DC/DC converter with synchronous
rectifier.
FEATURES
Low on-state resistance
R
DS(on)1
= 4.8 m
MAX. (V
GS
= 10 V, I
D
= 32 A)
Low C
iss
: C
iss
= 2900 pF TYP.
5 V drive available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25°C)
Drain to Source Voltage (V
GS
= 0 V)
V
DSS
25
V
Gate to Source Voltage (V
DS
= 0 V)
V
GSS
±20
V
Drain Current (DC) (T
C
= 25°C)
Drain Current (pulse)
Note1
I
D(DC)
±64
A
I
D(pulse)
±256
A
Total Power Dissipation (T
C
= 25°C)
P
T1
38
W
Total Power Dissipation
P
T2
1.0
W
Channel Temperature
T
ch
150
°C
Storage Temperature
Single Avalanche Current
Note2
Single Avalanche Energy
Note2
T
stg
55 to +150
°C
I
AS
33
A
E
AS
109
mJ
Notes 1.
PW
≤
10
μ
s, Duty Cycle
≤
1%
2.
Starting T
ch
= 25°C, V
DD
= 12.5 V, R
G
= 25
, V
GS
= 20
→
0 V
(TO-251)
(TO-252)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3993-ZK | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3993 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK4035-A | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK4035 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK4081 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3992-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3992-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3993-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3993-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Tape and Reel |
| 2SK3993-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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