參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3899-ZK
元件分類： JFETs
英文描述： 84 A, 60 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263, MP-25ZK, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： 2SK3899-ZK
Data Sheet D17174EJ1V0DS
3
2SK3899
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
dT
-
Pe
rcentage
of
Rated
Powe
r-
%
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
P
T-
Total
Powe
r
Dissipation
-
W
0
40
80
120
160
200
0
25
50
75
100
125
150
175
TC - Case Temperature -
°C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Power Dissipation Limited
ID(DC) = 84 A
ID(pulse) = 336 A
100
s
RDS(on) Limited
(at VGS = 10 V)
1 ms
10 ms
TC = 25°C
Single pulse
VDS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
th(t)
-
Transient
T
hermal
Resistance
-
0.01
0.1
1
10
100
1000
Single pulse
Rth(ch-A) = 83.3°C/W
Rth(ch-C) = 0.86°C/W
PW - Pulse Width - s
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述
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