參數(shù)資料
型號： 2SK3875-01
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series
中文描述： 13 A, 900 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： 2SK3875-01
2
Characteristics
2SK3875-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
20V
6.5V
VGS=5.5V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
0
1
2
3
4
VGS[V]
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0
5
10
15
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
6.0V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
20V
10V
6.5V
VGS=5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
2.75
3.00
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6.5A,VGS=10V
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