參數(shù)資料
型號： 2SK3812-ZP
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 開關(guān)N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 141K
代理商： 2SK3812-ZP
Data Sheet D16738EJ1V0DS
5
2SK3812
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
10 V
V
GS
= 4.5 V
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature - °C
C
i
,
o
,
r
100
1000
10000
100000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
rss
C
oss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
I
D
- Drain Current - A
V
D
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
12
I
D
= 110 A
V
DS
V
GS
V
DD
= 48 V
30 V
12 V
Q
G
- Gate Charge - nC
V
G
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I
F
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
0 V
V
GS
= 10 V
Pulsed
4.5 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
t
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
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