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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3767 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關(guān)穩(wěn)壓器 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SK3767 |
2SK3767
2004-12-10
5
15
V
15
V
TEST CIRCUIT
WAVE FORM
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
=
25
V
DD
=
90 V, L
=
41mH
=
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
Channel temperature (initial) T
ch
(°C)
E
AS
– T
ch
A
A
200
Darin-source voltage V
DS
(V)
Safe operating area
※
Single nonrepetitive pulse
Tc=25
℃
Curves must be derated linearly with
increase in temperature.
ID max (PULSED)
*
ID max (CONTINUOUS)
*
DC OPERATION
Tc
=
25°C
100
μ
s
*
1 ms
*
VDSS max
D
D
100
10
1
0.1
0.01
1000
100
10
1
0.01
0.1
10
0.001
10
μ
100
μ
1
ｍ
10
ｍ
100
ｍ
1
10
0.2
0.1
0.05
0.01
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
N
r
t
/
t
Duty=0.5
SINGLE PULSE
0.003
0.03
1
0.02
T
PDM
t
Duty
=
t/T
Rth (ch-c)
=
5
℃
/W
3
0.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3771-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3772-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3773-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3775-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3776-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3767(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3767(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3767(S4TETV,X,M | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3767(STA4,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3767(STA4,Q,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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