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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3767 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 元件分類： | 基準電壓源/電流源 |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| 中文描述： | 抗輻射高效，5安培開關穩(wěn)壓器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | 2SK3767 |
2SK3767
2004-12-10
4
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
Drian-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Common source
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
200
-50
0
50
100
150
0
8
6
4
2
1
ID=2A
0.5
Case temperature (°C)
R
DS (ON)
– Tc
D
R
D
)
Common source
VGS
=
10V
pulse test
10
50
0
0
40
10
20
80
120
160
30
D
D
Case temperature Tc (°C)
P
D
– Tc
40
0
0.01
0.1
1
10
0.8
1.6
VGS
=
0,
1 V
10
1
0.4
1.2
Drain-source voltage (V)
I
DR
– V
DS
D
D
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
3
0
80
1
2
3
5
40
0
40
80
120
150
4
G
t
Case temperature Tc (°C)
V
th
– Tc
Common source
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
Pulse test
6
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic Input / output
characteristics
D
D
Common source
ID
=
7.5 A
Tc
=
25°C
Pulse test
800
400
200
0
600
12
8
4
0
16
0
2
10
12
4
6
8
VDD
=
400V
100V
200V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3771-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3772-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3773-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3775-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3776-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3767(Q) | 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3767(Q,M) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch, 600V, 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3767(S4TETV,X,M | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3767(STA4,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3767(STA4,Q,M) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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