參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3736
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 250 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 98K
代理商： 2SK3736
2SK3736
Rev.2.00 Jul 27, 2006 page 4 of 6
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100 125 150
Case Temperature TC (°C)
–25
2.0
1.5
1.0
0.5
0
25
50
75
100 125 150
–25
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature (1)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
Case Temperature TC (°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature (2)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
3
1
100
30
10
0.01
0.1 0.3
0.03
1
10
30
100
3
Drain Current ID (A)
0.01
0.1
0.03
0.3
Forward
Transfer
Admittance
y
fs
(S)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
1,000
500
100
50
20
10
200
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10
100
20
50
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
1,0000
1,000
100
10
1
010
20
30
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
Dynamic Input Characteristics
400
300
200
100
0
4
8
12
16
20
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
16
12
8
4
0
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
Pulse Test
VGS = 4 V
ID = 3 A
6 A
Pulse Test
VGS = 2.5 V
ID = 3 A
6 A
75
°C
VDS = 10 V
Pulse Test
TC = –25°C
25
°C
di/dt = 100 A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
Coss
Ciss
Crss
VGS = 0
f = 1 MHz
VDS
ID = 6 A
VGS
VDD = 200 V
100 V
50 V
200 V
100 V
VDD = 50 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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