參數(shù)資料
型號： 2SK3736
元件分類： JFETs
英文描述： 6 A, 250 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 98K
代理商： 2SK3736
2SK3736
Rev.2.00 Jul 27, 2006 page 2 of 6
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage
V(BR)DSS
250
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0
Gate to source breakdown voltage
V(BR)GSS
±10
—
V
IG =
±100 A, VDS = 0
Gate to source leak current
IGSS
—
±10
A
VGS =
±8 V, VDS = 0
Zero gate voltage drain current
IDSS
—
5
A
VDS = 250 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
0.5
—
1.5
V
VDS = 10 V, ID = 1 mA
RDS(on)
—
0.55
0.7
ID = 3 A, VGS = 4 V
Note3
Static drain to source on state
resistance
RDS(on)
—
0.57
0.8
ID = 3 A, VGS = 2.5V
Note3
Forward transfer admittance
|yfs|
5.5
9.2
—
S
ID = 3 A, VDS = 10 V
Note3
Output capacitance
Ciss
—
450
—
pF
Output capacitance
Coss
—
100
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
60
—
pF
VDS = 10 V, VGS = 0,
f = 1 MHz
Total gate charge
Qg
—
17
—
nC
Gate to source charge
Qgs
—
0.8
—
nC
Gate to drain charge
Qgd
—
9.5
—
nC
VDD = 200 V, VGS = 4 V,
ID = 6 A
Turn-on delay time
td(on)
—
14
—
ns
Rise time
tr
—
48
—
ns
Turn-off delay time
td(off)
—
88
—
ns
Fall time
tf
—
25
—
ns
VGS = 4 V, ID= 3 A,
RL = 10
, Rg = 10
Body–drain diode forward voltage
VDF
—
0.94
1.45
V
IF = 6 A, VGS = 0
Note3
Body–drain diode reverse
recovery time
trr
—
125
—
ns
IF = 6 A, VGS = 0
diF/dt = 100 A/
s
Notes: 3. Pulse test
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