參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3505-01
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： N CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： N通道功率MOSFET硅
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： 2SK3505-01
4
10
-5
10
-4
10
-3
10
t [s]
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
Transient Thermal impedance
Zth(ch-c)=f(t) parameter:D=t/T
Z
0.5
0.2
0.02
0.05
0.1
0.01
0
2SK3505-01MR
FUJI POWER MOSFET
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=50V
A
A
t
T
D=
t
T
10
-8
10
-7
10
-6
10
t
AV
[sec]
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3505-01MR N CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3510 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-S SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-Z SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3510-ZJ SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3505-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3510-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3511(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK3511-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3512-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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