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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3479-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SK3479-S |
Data Sheet D15077EJ1V0DS
5
2SK3479
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
25
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
50
0
50
100
150
20
15
10
5
0
10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 42 A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
S
0
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.1
1
10
100
1000
0 V
V
GS
= 10 V
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
50
100
150
200
250
160
120
80
40
0
V
DS
V
GS
V
DD
= 80 V
50 V
20 V
I
D
= 83 A
16
12
8
4
0
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
100
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= 50 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3479-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3479-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3479 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3480-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3479-Z | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3479-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3479-Z-E2-AZ | 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3479-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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