型號: | 2SK3479-S |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
中文描述: | 開關N溝道功率MOSFET |
文件頁數(shù): | 3/8頁 |
文件大小: | 76K |
代理商: | 2SK3479-S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK3479-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
2SK3479-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
2SK3479 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
2SK3480 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
2SK3480-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK3479-Z | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
2SK3479-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 83A 11m@10V TO220SMD Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,100V,83A,8.8m ohm,TO-220AB 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD |
2SK3479-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3479-Z-E2-AZ | 功能描述:MOSFET 100V N-CH TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3479-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |