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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3109-ZJ |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK3109-ZJ |
Data Sheet D13332EJ1V0DS00
5
2SK3109
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature - C
d
0
20
40
60
80
100
120
140
160
20
40
60
80
100
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - C
P
T
0
20
40
60
80
100
120
140
160
70
60
50
40
30
20
10
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
100
1000
I
D
1
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
100
10
1
0.1
100
μ
s
ms
3
ms
PW
=
10
μ
s
R
DS(on)
Lmted
I
D(pulse)
I
D(DC)
Powe DsspaionLmted
T
C
= 25
C
Single Pulse
10ms
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
(
1
0.01
0.1
10
100
1m
10m
100m
1
10
1000
100
100
μ
Single Pulse
10
μ
R
th(ch-A)
= 83.3
C/W
R
th(ch-C)
= 2.5
C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3119 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3120 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3121 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3122 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3133L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK311 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3110 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3110-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 200V 14A 180m@10V IsolatedTO220 Bulk |
| 2SK3111 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3111-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 200V 20A 180m@10V TO220AB Bulk |
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