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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3082 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SK3082 |
2SK3082(L),2SK3082(S)
4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
8
12
16
20
5
20
100
1
10
50
2
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
0
0.1 0.2
1
5
20
20
2
5
1
0.5
1.0
0.2
0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
0.5
2
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
5 A
2 A
I = 10 A
D
Pulse Test
10
10
V = 4 V
Pulse Test
10 V
V = 10 V
Pulse Test
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
I = 10 A
D
V = 4 V
10 V
5 A
10 A
2 A
2, 5 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3082L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3082S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3105 | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
| 2SK3107 | N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK3108 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3082L | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3082L-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3082S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3082STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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