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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3076L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | 2SK3076L |
2SK3076(L),2SK3076(S)
6
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V = 0, –10 V
10 V
15 V
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 2.08 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
s
γ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3076S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3076 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3080 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3081 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3082 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3076S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3077 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS |
| 2SK3077_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:SILICON N CHANNEL MOS TYPE 900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
| 2SK3077A | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Band Amplifier Applications |
| 2SK3078 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM) |
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