參數(shù)資料
型號(hào): 2SK3062-Z-AZ
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 207K
代理商: 2SK3062-Z-AZ
Data Sheet D13101EJ2V0DS
3
2SK3062
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TC - Case Temperature -
°C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
25
50
75
100
125
150
175
200
140
120
100
80
60
40
20
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1
10
100
ID
-
Drain
Current
-
A
0.1
VDS - Drain to Source Voltage - V
1
10
100
1000
0.1
100
s
100
ms
1 ms
10
ms
PW
=10
s
ID(pulse)
ID(DC)
Po
wer
Dissipation
Limited
DC
R
DS
(o
n) Limited
(at
V
GS
=
10
V)
TC = 25C
Single Pulse
5
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C/
W
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1000
1 m10 m
100 m
1
10
100
1000
10
100
TC = 25C
Single Pulse
Rth(ch-C)= 1.25 C/W
Rth(ch-A)= 83.3 C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3069 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3069 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3070(S) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3070(S) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3070(L) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3062-ZJ 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3064 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
2SK306400L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3065 制造商:KEXIN 制造商全稱(chēng):Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET