參數(shù)資料
型號： 2SK3062-Z-AZ
元件分類： JFETs
英文描述： 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 207K
代理商： 2SK3062-Z-AZ
Data Sheet D13101EJ2V0DS
7
2SK3062
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25)
2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
3)TO-263 (MP-25ZJ)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
(10)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(0.5R)
(0.8R)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
(10)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(0.5R)
(0.8R)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
EQUIVALENT CIRCUIT
Note This Package is produced only in Japan.
4)
TO-220SMD(MP-25Z)
Note
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3069 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3069 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3070(S) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3070(S) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3070(L) 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3062-ZJ 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3064 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
2SK306400L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3065 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET
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