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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3019TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | EMT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2SK3019TL |
2SK3019
Transistor
Rev.C
3/3
50
0
25
150
0
3
6
9
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (
°C)
25
50
75
100 125
2
1
4
5
7
8
VGS
=4V
Pulsed
ID
=100mA
ID
=50mA
STATIC
DRAIN-SOURCE
ON-STATE
RESISTANCE
:
R
DS(on)
(
)
Fig.7 Static drain-source on-state
resistance vs. channel
temperature
0.0001
0.001
0.01
0.02
0.5
FORWARD
TRANSFER
ADMITTANCE
:
|Yfs|
(S)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.005
0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.1
0.2
0.5
0.002
Ta
=25°C
25
°C
75
°C
125
°C
VDS
=3V
Pulsed
Fig.8 Forward transfer
admittance vs. drain current
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
VGS
=0V
Pulsed
Ta
=125°C
75
°C
25
°C
25°C
Fig.9 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
Ι)
200m
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
1.5
1
0.5
0
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
0.5m
0.2m
0.1m
Ta
=25°C
Pulsed
VGS
=4V
0V
Fig.10 Reverse drain current vs.
source-drain voltage (
ΙΙ)
0.1
1
2
50
CAPACITANCE
:
C
(pF)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
0.5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
5
10
20
Ciss
Coss
Crss
Ta
=25°C
f
=1MHZ
VGS
=0V
Fig.11 Typical capacitance vs.
drain-source voltage
0.1
10
20
500
SWITHING
TIME
:
t
(ns)
DRAIN CURRENT : ID (mA)
5
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
1000
2
100
Ta
=25°C
VDD
=5V
VGS
=5V
RG
=10
Pulsed
td(off)
tr
td(on)
tf
Fig.12 Switching characteristics
(See Figures 13 and 14 for
the measurement circuit
and resultant waveforms)
Switching characteristics measurement circuit
Fig.13 Switching time measurement circuit
VGS
RG
VDS
D.U.T.
ID
RL
VDD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
Pulse width
10%
VGS
VDS
90%
tf
toff
td (off)
tr
ton
td (on)
Fig.14 Switching time waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301S | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK301S | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK302 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3019-TP | 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SK3019TT1 | 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:SOT-523 Plastic-Enc apsulate MOSFETS |
| 2SK301-QR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK301QRS | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK301-QRS | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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