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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3019TL |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | EMT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3019TL |
2SK3019
Transistor
Rev.C
1/3
2.5V Drive Nch MOS FET
2SK3019
Structure
Silicon N-channel
MOSFET
Applications
Interfacing, switching (30V, 100mA)
Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for
portable equipment.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Dimensions (Unit : mm)
(1)Source
(2)Gate
(3)Drain
EMT3
1.6
0.7
0.15
0.1Min.
0.55
0.2
1.6
1.0
0.3
0.8
(2)
0.5
(3)
0.2
(1)
Abbreviated symbol : KN
Packaging specifications
TL
3000
2SK3019
Type
Package
Code
Basic ordering unit
(pieces)
Taping
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
VDSS
VGSS
PD2
Tch
30
V
mA
mW
°C
±20
±100
ID
IDP1
Continuous
Pulsed
mA
±400
150
Tstg
°C
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
1 Pw≤10s, Duty cycle≤1%
2 With each pin mounted on the recommended lands.
Equivalent circuit
Drain
Source
Gate
Gate
Protection
Diode
A protection diode is included between the gate
and the source terminals to protect the diode
against static electricity when the product is in use.
Use a protection circuit when the fixed voltages
are exceeded.
Thermal resistance
Parameter
°C / W
Rth(ch-a)
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
With each pin mounted on the recommended lands.
833
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301S | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK0301P | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK301S | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SK302 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3019-TP | 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標準包裝:1 |
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| 2SK301QRS | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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