參數(shù)資料
型號： 2SK2826-ZJ
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 74K
代理商： 2SK2826-ZJ
Data Sheet D11273EJ2V0DS00
4
2SK2826
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
/
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V
G
I
D
- Drain Current - A
R
D
10
10
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
V
DS
=10V
Pulsed
0.1
1.0
10
100
10
100
10
20
30
Pulsed
20
30
100
1000
Pulsed
Single Pulse
T
C
= 25
C
0
0.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
1.0
1.5
2.0
- 50
0
50
100
150
0
R
th
(ch
-
A) = 83.3
C
/W
V
GS
= 10 V
0.1
1.0
20
V
GS
= 4.0 V
T
= 175
C
75
C
25
C
-25
C
V
GS
= 0V
200
10
μ
100
μ
R
th
(ch
-
C) = 1.25
C
/W
T
ch
- Channel Temperature - C
T
A
= 25C
I
D
= 35 A
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