參數(shù)資料
型號: 2SK2825
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: 2-2H1B, SSM, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 286K
代理商: 2SK2825
2SK2825
2007-11-01
4
相關PDF資料
PDF描述
2SK2834-01P 9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
2SK2835 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2837 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2837 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2838(2-10S1B) 5.5 A, 400 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2825(TE85L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R
2SK2826-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2827-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2835TP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel
2SK2837 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件