型號: | 2SK2825 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | 2-2H1B, SSM, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/5頁 |
文件大小: | 286K |
代理商: | 2SK2825 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK2834-01P | 9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
2SK2835 | 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2837 | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2837 | 20 A, 500 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2838(2-10S1B) | 5.5 A, 400 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2825(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin SSM T/R |
2SK2826-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
2SK2827-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK2835TP | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel |
2SK2837 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |