型號(hào): | 2SK2788 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | SMALL SIGNAL, FET |
封裝: | MICROPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 9/9頁(yè) |
文件大?。?/td> | 41K |
代理商: | 2SK2788 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK278 | 7 A, 400 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2798 | 6 A, 350 V, 0.83 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK2825 | 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
2SK2834-01P | 9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
2SK2835 | 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2788VYTR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,2A,0.12ohm,UPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
2SK2789(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM |
2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |