參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2788
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL, FET
封裝： MICROPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SK2788
2SK2788
3
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
——V
I
D = 10mA, VGS = 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
——V
I
G = ±100A, VDS = 0
Zero gate voltege drain current
I
DSS
——10
AV
DS = 60 V, VGS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
——
±10
AV
GS = ±16V, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.0
—
2.0
V
I
D = 1mA, VDS = 10V
Static drain to source on state
R
DS(on)
—
0.12
0.16
I
D = 1 A, VGS = 10V*
1
resistance
R
DS(on)
—
0.16
0.25
I
D = 1A, VGS = 4V*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
1.6
2.8
—
S
I
D = 1A, VDS = 10V*
1
Input capacitance
Ciss
—
180
—
pF
V
DS = 10V
Output capacitance
Coss
—
90
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
30
—
pF
f = 1MHz
Turn-on delay time
t
d(on)
—9
—ns
V
GS = 10V, ID = 1A
Rise time
t
r
—
15
—
ns
R
L = 30
Turn-off delay time
t
d(off)
—40
—
ns
Fall time
t
f
—35
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
V
DF
—
0.9
—
V
I
D = 2A, VGS = 0
Body to drain diode reverse
recovery time
t
rr
—
35
—
ns
I
F = 2A, VGS = 0
di
F/ dt = 50A/s
Notes: 1. Pulse test
2. Marking is “VY”
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PDF描述
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