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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2699 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 600 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-16C1B, SC-65, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 419K |
| 代理商： | 2SK2699 |
2SK2699
2009-09-29
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2700 | 3 A, 900 V, 4.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2718 | 2.5 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2725 | 5 A, 500 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2725 | 1.6 ohm, POWER, FET |
| 2SK2731T146 | 200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2699(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 12A 0.65@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2699(F,T) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT N-Ch FET RDS 0.5 Ohm IDSS 100uA VDS 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SK2700(Q,T) | 功能描述:MOSFET N-ch 900V 3A 3.7 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2701A | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:MOSFET N-CH 450V TO-220F |
| 2SK2713 | 功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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