參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2220-E
元件分類： JFETs
英文描述： 8 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： 2SK2220-E
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5
2SK2220, 2SK2221
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G1004-0200
(Previous: ADE-208-1352)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
D
G
S
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2221-E 8 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2221 POWER, FET
2SK2229 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2229 5 A, 60 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2230 2 A, 250 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2221 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube
2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2222 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR
2SK2223-01R 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
2SK2224-01R 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
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