參數(shù)資料
型號： 2SK2158
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SK2158
2SK2158
4
I
D
- Drain Current - mA
R
D
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1 000
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
V
GS
= 4.0 V
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
50
40
30
20
10
0
2
4
6
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
I
D
= 10 mA
I
D
= 100 mA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
100
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
iss
C
oss
I
D
- Drain Current - mA
t
d
,
r
,
d
,
f
100
50
20
10
5
2
1
10
20
50
100
200
500
1 000
SWITCHING CHARACTERISTICS
V
= 0
f = 1 MHz
C
rss
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
1
0.1
0.01
0.001
0.4
0.8
1.2
1.6
2
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
t
r
t
f
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= 3 V
V
GS(on)
= 3 V
R
G
T
A
= 75 C
–25 C
25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2159 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SK2160 Very High-Speed Switching Applications
2SK2161 Very High-Speed Switching Applications
2SK2170 N-Channel Junction Silicon FET for Impedance Converter Applications(阻抗轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的N溝道結(jié)型硅場效應(yīng)管)
2SK2171 N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency, Low-Frequency Amplifier Analog Switch Applications(應(yīng)用于高頻，低頻放大器模擬開關(guān)的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2158M 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK2158-T1B 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK2158T1BA 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
2SK2158-T1B-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,50V,0.1A,32ohm,MINI MOLD 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
2SK2159 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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